论文编号: 1725110120150117
第一作者所在部门: 研究生1,硅器件中心
论文题目: 0.18 um部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究
论文题目英文:
作者: 赵星
论文出处:
刊物名称: 物理学报
: 2015
:
: 12
: 1281-1283
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收录类别:
影响因子: 0.9654
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