| 论文编号: | 1725110120150115 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | Analysis of capacitance-voltage-temperature characteristics of GaN High-Electron-Mobility Transistors |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | CHIN. PHYS. LETT. |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 32 |
| 期: | 4 |
| 页: | 048501-1-048501-3 |
| 联系作者: | 赵妙,刘新宇 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.947 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出