Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150061
第一作者所在部门:	研究生5，微电子重点实验室
论文题目:	Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory
论文题目英文:
作者:	李阳
论文出处:
刊物名称:	Nanoscale Research Letters
年:	2015
卷:	10
期:	1
页:	1-30
联系作者:	龙世兵,刘明
收录类别:
影响因子:	2.779
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: