High Q Plasmonic Lasing of Band Edge Modes in an Asymmetry Environment--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150050
第一作者所在部门:	微电子重点实验室
论文题目:	High Q Plasmonic Lasing of Band Edge Modes in an Asymmetry Environment
论文题目英文:
作者:	史丽娜
论文出处:
刊物名称:	Plasmonics
年:	2015
卷:	10
期:	6
页:	1761-1769
联系作者:	谢常青
收录类别:
影响因子:	2.238
摘要:
英文摘要:
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