论文编号: | 1725110120150049 |
第一作者所在部门: | 研究生6,高频高压中心 |
论文题目: | Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications |
论文题目英文: | |
作者: | |
论文出处: | |
刊物名称: | Journal of Semiconductors |
年: | 2015 |
卷: | 36 |
期: | 7 |
页: | 074006-1-074006-7 |
联系作者: | 林体元,黄森,袁婷婷,刘新宇,王鑫华,刘果果,庞磊 |
收录类别: | |
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科研产出