论文编号: 1725110120150036
第一作者所在部门: 高频高压中心
论文题目: Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor
作者: 彭松昂
刊物名称: Applied Physics Letter
: 2015
: 106
: 033503
: 1-4
联系作者: 金智
影响因子: 3.515