Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	1725110120160346
第一作者所在部门:
论文题目:	Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	small
年:	2016
卷:	12
期:	23
页:	3106
联系作者:
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: