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论文编号: 1725110120160334
第一作者所在部门:
论文题目: 应用反短/窄沟效应优化亚阈值 SRAM 单元？
论文题目英文:
作者: 蔡江铮
论文出处:
刊物名称: 哈尔滨工业大学学报
年: 2016
卷:
期: 4
页: 1
联系作者: 黑勇
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