| 论文编号: | 1725110120160323 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Fully CMOS Compatible 3D Vertical RRAM with Self-aligned Self-selective Cell enabling sub-5nm scaling |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 许晓欣 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 2158 |
| 联系作者: | 刘明,吕杭炳 |
| 收录类别: | |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出