Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160297
第一作者所在部门:
论文题目:	Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	Chinese Physics B
年:	2016
卷:	25
期:	7
页:	078501
联系作者:	罗家俊
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