| 论文编号: | 1725110120160272 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 姜丹丹 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | ECS Transactions |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 51 |
| 联系作者: | 霍宗亮 |
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科研产出