Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160255
第一作者所在部门:
论文题目:	Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs
论文题目英文:
作者:	王桂磊
论文出处:
刊物名称:	ECS Transactions
年:	2016
卷:	75
期:	8
页:	273
联系作者:	王桂磊
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