| 论文编号: | 1725110120160254 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 姜丹丹 |
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| 刊物名称: | Integrated Ferroelectrics |
| 年: | 2016 |
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| 期: | 169 |
| 页: | 146 |
| 联系作者: | 霍宗亮 |
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科研产出