| 论文编号: | 1725110120160250 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 徐昊 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics B |
| 年: | 2016 |
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| 期: | 25 |
| 页: | 87306 |
| 联系作者: | 王文武 |
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