Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl4 and TMA precursors--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160242
第一作者所在部门:
论文题目:	Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl4 and TMA precursors
论文题目英文:
作者:	项金娟
论文出处:
刊物名称:	Chin. Phys. B
年:	2016
卷:	25
期:	3
页:	37308
联系作者:	赵超
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