论文编号: 1725110120160236
第一作者所在部门:
论文题目: Understanding the role of TiN barrier layer on electrical performance of MOS device with ALD-TiN/ALD-TiAlC metal gate stacks
论文题目英文:
作者: 项金娟
论文出处:
刊物名称: ECS Journal of Solid State Science and Technology
: 2016
: 5
: 6
: 327
联系作者: 赵超
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