| 论文编号: | 1725110120160226 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-k/Metal Gates |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 毛淑娟 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | CHIN. PHYS. LETT. |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 33 |
| 期: | 11 |
| 页: | 118502(1-4) |
| 联系作者: | 朱正勇 |
| 收录类别: | |
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