| 论文编号: | 1725110120160218 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王晓磊 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | J Physics D: Applied Physics |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 49 |
| 页: | 255104 |
| 联系作者: | 王文武 |
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科研产出