Resistance-switching mechanism of SiO2:Pt-based Mott memory--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160217
第一作者所在部门:
论文题目:	Resistance-switching mechanism of SiO2:Pt-based Mott memory
论文题目英文:
作者:	张科科
论文出处:
刊物名称:	Journal Of Applied Physics
年:	2016
卷:
期:	118
页:	245701-1
联系作者:	卢年端,李泠
收录类别:
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摘要:
英文摘要:
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