论文编号: 1725110120160212
第一作者所在部门:
论文题目: Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 14?nm node FinFETs
论文题目英文:
作者: 秦长亮
论文出处:
刊物名称: solid-state electronics
: 2016
:
: 124
: 10
联系作者: 王桂磊
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