| 论文编号: | 1725110120160211 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 秦长亮 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | solid-state electronics |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 123 |
| 页: | 38 |
| 联系作者: | 殷华湘 |
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科研产出