| 论文编号: | 1725110120160202 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王桂磊 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Microelectronics Engineering |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 163 |
| 页: | 49 |
| 联系作者: | 罗军,王桂磊 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出