Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160197
第一作者所在部门:
论文题目:	Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive
论文题目英文:
作者:	张浩浩
论文出处:
刊物名称:	Microelectronics Reliability
年:	2016
卷:
期:	67
页:	104
联系作者:	毕津顺,刘明
收录类别:
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英文摘要:
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