论文编号: 1725110120160179
第一作者所在部门:
论文题目: Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices
论文题目英文:
作者: 张美芸
论文出处:
刊物名称: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop 2016
: 2016
:
: 16341902
: 1
联系作者: 龙世兵
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: