Research progresses of resistive random access memory--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160177
第一作者所在部门:
论文题目:	Research progresses of resistive random access memory
论文题目英文:
作者:	龙世兵
论文出处:
刊物名称:	Sci Sin-Phys Mech Astron
年:	2016
卷:	46
期:	10
页:	107311-1
联系作者:	刘明
收录类别:
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