| 论文编号: | 1725110120160120 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 00-nm Gate-Length GaAs mHEMTs using Si-doped InP/InAlAs schottky layers and atomic layer deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE |
| 年: | 2016 |
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| 期: | 1 |
| 页: | 1 |
| 联系作者: | 孙兵,刘洪刚 |
| 收录类别: | |
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科研产出