100-nm gate-length enhancement mode InGaAs MOSFETs with InGaP interfacial layer and Al2O3 as gate oxide--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160117
第一作者所在部门:
论文题目:	100-nm gate-length enhancement mode InGaAs MOSFETs with InGaP interfacial layer and Al2O3 as gate oxide
论文题目英文:
作者:	常虎东
论文出处:
刊物名称:	IEEE
年:	2016
卷:
期:	1
页:	1
联系作者:	刘洪刚
收录类别:
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