| 论文编号: | 1725110120160092 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | A Novel IGBT Structure With Floating N-Doped Buried Layer in P-base to Suppress Latch-Up |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 杨飞 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 37 |
| 期: | 9 |
| 页: | 1174 |
| 联系作者: | 朱阳军 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出