论文编号: 1725110120160083
第一作者所在部门:
论文题目: Computation of sensitivities of IC interconnect parasitic capacitances to the process variation with dual discrete geometric methods
论文题目英文:
作者: 高展
论文出处:
刊物名称: Journal of Semiconductors
: 2016
: 37
: 8
: 085003-1
联系作者: 闫帅
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