| 论文编号: | 1725110120160077 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Journal of Vacuum Science & Technology B |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 4 |
| 页: | 041202-1 |
| 联系作者: | 黄森,刘新宇 |
| 收录类别: | |
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