论文编号: 1725110120160076
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论文题目: Effect of interface and bulk traps on the C–V characterization of a LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure
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刊物名称: Semiconductor Science and Technology
: 2016
: 31
: 6
: 065014-1
联系作者: 黄森
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