A double-end-beam based infrared device fabricated using CMOS-MEMS process--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120160066
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论文题目:	A double-end-beam based infrared device fabricated using CMOS-MEMS process
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	Sensor Review
年:	2016
卷:	36
期:	3
页:	240
联系作者:	毛海央
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