Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	1725110120160045
第一作者所在部门:
论文题目:	Design of high-performance memristor cell using W-implanted SiO2 films
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	Applied Physics Letters
年:	2016
卷:	108
期:	15
页:	153501-1
联系作者:	刘琦
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: