A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150074
第一作者所在部门:
论文题目:	A Surface Potential-Based Gate-Leakage Current Model for Organic Thin-Film Transistors
论文题目英文:
作者:	徐光伟
论文出处:
刊物名称:	IEEE TED
年:	2016
卷:
期:	62
页:	4225
联系作者:	李泠,刘明
收录类别:
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英文摘要:
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