1. 邵红旭，孙宝刚，韩郑生，“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”，电子工业专用设备，2005年第一期，已发表；

2. 邵红旭，吴俊峰，韩郑生，孙宝刚，“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”，微电子学与计算机，已发表；

3.邵红旭，孙宝刚，吴俊峰，钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”，半导体学报，已发表；

4. 程 超，海潮和，孙宝刚，“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”，微电子学与计算机，已发表；

5. 程 超，海潮和，孙宝刚，“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”，微电子学，已发表。