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  • 姓名： 田晓丽
  • 性别： 女
  • 职称： 研究员
  • 职务： 
  • 学历： 博士
  • 电话： 010-82995601
  • 传真： 
  • 电子邮件： tianxiaoli@ime.ac.cn
  • 所属部门： 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景 

    2002.09-2006.06，四川大学，学士 

    2006.09-2009.06，四川大学，硕士  

    2012.09-2016.06，中国科学院大学，博士 

    工作简历 

    2009.07-2013.12 中国科学院微电子研究所 助理研究员 

    2014.01-2022.08 中国科学院微电子研究所 副研究员 

    2022.09 -至今 中国科学院微电子研究所研究员 

    社会任职：

  •  

    研究方向：

  • 高压高功率器件（IGBT、碳化硅电力电子器件）及集成技术 

    承担科研项目情况：

  • 1. 国家发改委项目，“应用于汽车电子的IGBT产品开发”，子课题负责人； 

    2. 国家科技重大(02)专项，“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”，子课题负责人； 

    3. 国家重点研发计划项目，“车用高温大电流SiC 芯片研发”，子课题负责人； 

    4. 广东省重点领域研发计划项目，“轨道交通用高压大电流SiC芯片研制”，课题负责人； 

    5. 吉林省与中科院科技合作高技术产业化专项，“3300V超高压电力电子器件产业化开发”，课题负责人； 

    6. 吉林省与中科院科技合作高技术产业化专项，“超高压碳化硅电力电子器件（SiC IGBT）产业化开发”，项目负责人 

    代表论著：

  • 发表学术论文15余篇 

    专利申请：

  • 第一发明人或团队核心授权专利44项 

    获奖及荣誉：

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