教育背景
2006.09-2010.07，北京工业大学材料科学与工程学院，博士。
2004.09-2006.07，北京工业大学材料科学与工程学院，硕士。
1998.09-2002.07，内蒙古科技大学材料系，本科。
工作简历
2019.04-至今，中国科学院微电子研究所，研究员
2013.10-2019.04，中国科学院微电子研究所，副研究员。
2012.8-2013.10，中国科学院微电子研究所，助理研究员
2010.10-2012.08，清华大学材料系，博士后。
2002.07-2004.09，武汉钢铁集团公司，助理工程师。
IEEE Member；
2015中国（国际）功能材料科技与产业高层论坛，组织委员会委员
半导体器件物理，热电材料，有机太阳能电池，新型非挥发存储技术，第一性原理计算
1. 2022.11-205.10，主持国家重点研发计划课题，新型IGZO 垂直沟道器件及三维堆叠DRAM 单元的研究，批准2022YFB3606902。
2. 2019.1-2023.12, 主持国家自然科学基金委重大项目, 分子材料晶体管的器件模型与电路构建, 批准号：61890944。
1.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Thermoelectric Seebeck Effect of Disordered Organic Semiconductors”, Published by Scrivener Publishing, Beverly, MA, March. 2019. (Advanced Thermoelectric Materials, Edited by Chong Rae Park).
2.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “The Polaron Effect on Charge Transport Property for Organic Semiconductors”, Published by Nova science publishers, New York, Sep. 2018. (Polarons: Recent Progress and Perspectives, Edited by Amel Laref).
3.Nanduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Thermoelectric effect and application of organic semiconductors”, Published by INTECH, UK, 2016, DOI: 10.5772/65872. (Thermoelectrics for Power Generation-A Look at Trends in the Technology, Edited bySergey Skipidarov and Mikhail Nikitin,).
4. Dong Qin, Kaifei Chen, Jiezhi Chen, and Nianduan Lu#, “A Unified Distribution Form of the Density of States in Disordered Organic Semiconductors”, IEEE Transaction on Electron Devices, 69(8), 4507-4512 (2022) (# corresponding author)
5.Hong Wang, Xiaobing Yan, Shufang Wang, and Nianduan Lu#, “High-stability memristive devices based on Pd conductive filaments and its applications in neuromorphic computing”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 17844-17851 (2021). (# corresponding author)
6. Xichen Chuai, Guanhua Yang, Wei Wei, Jiawei Wang, Xuewen Shi, Congyan Lu, Ying Zhao, Yue Su, Quantan Wu, Di Geng, Nianduan Lu#, Ling Li, and Ming Liu, “Optimization of electrical properties of MoS2 field-effect transistors by dipole layer coulombic interaction with trap states”, Phys. Status Solidi RRL, 13(7), 1900007 (2019). (# corresponding author)
7. Zhenyu Zhou, Xiaobing Yan, Jianhui Zhao, Lu Chao, Deliang Ren, Nianduan Lu#, Jingjuan Wang, Lei Zhang, Xiaoyan Li, Hong Wang, and Mengliu Zhao, “Synapse behavior characterization and physics mechanism of a TiN/SiOx/p-Si tunneling memristor device”, Journal of Materials Chemistry C, 7, 1561-1567 (2019).
8. Nianduan Lu, Nan Gao, Ling Li, and Ming Liu, “Temperature, electric-field, and carrier-density dependence of hopping magnetoresistivity in disordered organic semiconductors”,Phys. Rev. B, 96, 165205 (2017).
9. Sen Liu*, Nianduan Lu*, Xiaolong Zhao, Hui Xu, Writam Banerjee, Hangbing Lv, Shibing Long, Qingjiang Li, Qi Liu and Ming Liu, “Eliminating negative-SET behavior by suppressing nanofilament overgrowth in cation-based memory”, Adv. Mater., In press, 2016. (*represents that authors contributed equally to this work).
10.Nianduan Lu, Ling Li, and Ming Liu, “Universal carrier thermoelectric-transport model based on percolation
theory in organic semiconductors”, Phys. Rev. B, 91：195205 (2015).
1.卢年端,李泠,刘明，“一种用于获取表面势的方法及装置”，受理时间：2018年8月9日。(美国专利号：US11366946)，美国专利已授权, 2022年6月21日
2.卢年端，李泠，刘明，刘琦，“一种阻变存储器的设计方法及装置”，申请日：2018年8月9日。（美国专利号：US11010530）：美国专利已授权, 2021年5月18日
3. 卢年端，孙鹏霄,李泠,刘明,刘琦,龙世兵,吕杭炳， “三维集成阻变存储器的热效应评估及降低热串扰的方法”，受理时间：2016年8月12日。(美国专利号：US10418549B2)，美国专利已授权, 2019年9月17日
4.卢年端，李泠，姜文峰，耿玓，王嘉玮，李蒙蒙，刘明，“一种半导体器件及其制备方法”，202010366057.9，受理时间，2020年4月30日.授权公告日：2023年4月11日。
5. 卢年端，李泠，揣喜臣，杨冠华，耿玓，刘明，“场效应晶体管及其制备方法”，专利号：201910336883.6，申请日：2019.4.24.授权公告日：2022年4月26日
6.卢年端，李泠，耿玓，刘明，“一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法”，专利号：201810684255.2，申请日：2018.06.27。授权公告日：2020.8.18.
7.卢年端，魏巍，李泠，刘明，“一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法”，专利号：201710376114.X，受理时间：2017年5月25日。授权公告日：2020.3.20.
8.卢年端，李泠，刘明，刘琦，“一种阻变存储器的设计方法及装置”，专利号：201810508704.8，申请日：2018.05.24。授权公告日：2020.1.21
9. 卢年端，李泠，刘明，“测量有机半导体状态密度的方法”，专利号：CN201510228253.9。授权公告日：2018.02.13.
10.卢年端; 马尚; 李泠; 耿玓; 刘明，“一种阻变存储器的制备方法”，专利号：CN201811239346.1，申请日：2018.10.23. 授权公告日：2022年10月21日
2018年中国科学院杰出科技成就奖（主要完成者）
人才队伍