教育背景

2008.04-2011.07，兰州大学&中国科学院微电子研究所联合培养，博士

2006.09-2008.04，兰州大学，物理科学与技术学院，博士

2002.09-2006.07，兰州大学，物理科学与技术学院，本科

工作简历

2016.01-至今，中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术重点实验室，副研究员

2012.10-2016.01，中国科学院微电子研究所，纳米加工与新器件集成技术实验室，助理研究员

1. Yan Wang, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, QinWang, Manhong Zhang, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Jianhong Yang and Ming Liu, “Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications”, Nanotechnology, 21(4): 045202, 2009.

2. Yan Wang, Hangbing Lv, Wei Wang, Qi Liu, Shibing Long, Qin Wang, Zongliang Huo, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Highly stable radiation-hardened resistive-switching memory”, IEEE Electron Devices Lett., 31(12): 1470-1472, 2010.

3. Fei Huang, Yan Wang, Xiao Liang, Jun Qin, Yan Zhang, Xiufang Yuan, Zhuo Wang, Bo Peng, Longjiang Deng, Qi Liu, Ming Liu, “HfO2 Based Highly Stable Radiation-Immune Ferroelectric Memory”, IEEE Electron Devices Lett. 38(3): 330-333, 2017

4. Yan Wang，Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Sen Zhang, Yingtao Li, Wentai Lian, Jianhong Yang and Ming Liu, “CMOS compatible nonvolatile memory devices based on SiO2/Cu/SiO2 multilayer films” Chinese Phys. Lett. 28 077201.

5. Yan Wang, Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Wei Wang, Yingtao Li, Sen Zhang, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology” Chinese Science Bulletin, 2012, vol.57:1235-1240.

“氧化物阻变存储器机理与性能调控” 2016年国家自然科学奖二等奖（第五完成人）

“阻变存储器机理与性能调控” 2015年中国电子学会科学技术奖一等奖（第五完成人）

“阻变存储器及集成的基础研究” 2014年北京市科学技术奖二等奖