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  • 姓名: 卢维尔
  • 性别: 女
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995823
  • 传真: 
  • 电子邮件: luweier@ime.ac.cn
  • 所属部门: 抗辐照器件技术重点实验室
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景 

    2003.09-2007.06 中国矿业大学 化学工程与工艺 学士 

    2007.09-2012.06 中国科学院理化技术研究所 材料学 博士 

    工作简历 

    2012.07-2014.07 中国科学院微电子研究所 博士后 

    2014.07-2017.03 中国科学院微电子研究所 助理研究员 

    2017.04-今 中国科学院微电子研究所 副研究员

    社会任职:

    研究方向:

  • 模拟电路测试表征技术、SOI材料与工艺技术

    承担科研项目情况:

  • 201701-201912 国家自然科学基金青年基金项目 电场极化作用下石墨烯表面原子层沉积高k栅介质的生长机制研究 主持 

    201901-202112科技部国家重点研发计划重大科学仪器设备开发项目 微焦X射线菲涅耳透镜的批量化制备技术 主持

    201401-201612中国科学院仪器设备研制项目 高性能激光脉冲薄膜制备系统 课题负责人 

    201705-201804北京市科委项目 脉冲气相沉积技术及大尺寸石墨烯生长机制研究 主持 

    201501-201912基金委重大科研仪器设备研发项目,二维电子材料及纳米量子器件研究与分析仪器 主要参与人员

    代表论著:

  • 以第一作者身份发表论文8篇,通信作者身份10篇,代表论著如下: 

    [1] Yanli Li, Weier Lu* , Yang Xia et al. Fabrication of multilayer Fresnel zone plate for hard X-ray microscopy by atomic layer deposition and focused ion beam milling, Vaccum, (2023) 209:111776.

    [2] Wei-Er Lu, Xian-Zi Dong, Wei-Qiang Chen,* Zhen-Sheng Zhao and Xuan-Ming Duan*, Novel photoinitiator with a radical quenching moiety for confining radical diffusion in two-photon induced photopolymerization, J. Mater. Chem., (2011) 21:5650.

    [3] Fei Wang, Xin Li, Siyuan Wang, Yitao Cao, Lingqian Zhang, Yang Zhao, Xianzi Dong, Meiling Zheng, Hongyao Liu*, Weier Lu* , Xinchao Lu, Chengjun Huang*, 3D fiber-probe surface plasmon resonance microsensor towards small volume sensing, Sensors & Actuators: B. Chemical, (2023) 384: 133647.

    [4] Weier Lu, Yang Xia, et al. Selective Soluble Polymer Assisted Electrochemical Delamination of Chemical Vapor Deposition Graphene, Journal of Solid State Electrochemistry, (2019) 23:943–951.

    [5] Wei-Er Lu, Chaobo Li, Yang Xia, Xuan-Ming Duan et al., Femtosecond laser direct writing of gold nanostructures by ionic liquid assisted multi-photon induced photoreduction. Optical Materials Express (2013) 3(10): 1660-1673.

    专利申请:

  • 以第一、二发明人,授权发明专利29项,其中美国1项,代表性专利如下:

    [1]一种X射线波带片制备系统, CN108300980B

    [2]一种基于乙酰丙酮银制备Ag2S薄膜的方法,CN112899646B

    [3]用于增加原子层沉积前驱体数量的方法,CN103866278B

    [4]一种变电场原子层沉积系统的控制方法, CN106756886B

    [5]一种多支撑膜辅助的石墨烯电化学转移方法, US PatentUS11264461B2

    获奖及荣誉:

  • 中国科学院微电子所优秀员工,优秀党员,优秀党务工作者