教育背景
2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士
2006.9-2008.9 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 硕士
2002.9-2006.8 哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 学士2023.11-至今 中科院微电子研究所 研究员，教育处长
2022.1-2022.12 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 副主任
2020.7-2023.11 中国科学院微电子研究所 研究员，课题组长
2015.8-2020.7 中国科学院微电子研究所 副研究员，课题组长
2015.4-2015.7 东京大学 材料工程系 公派访问学者
2013.10-2015.3 中国科学院微电子研究所 副研究员
2011.10-2013.9 中国科学院微电子研究所 助理研究员1.书系Frontiers in Semiconductor Technology (Taylor & Francis), 主编 (2021-至今)
2.国际固态薄膜会议(IWDTF)，程序委员会委员(2020-至今)
面向3D-DRAM的氧化物晶体管器件、半导体器件可靠性
学生指导：
长期招收集成电路相关领域(微电子、物理、材料)研究生
指导学生多人次获国际论文奖、院长优秀奖、研究生国家奖学金、赴世界著名大学深造等
1. 中国科学院青年促进会优秀会员项目，(2022-2024)，在研，主持
2. 国家重点研发计划“超宽变频、高可靠性的LTPO显示驱动电路”-课题, (2022-2025), 在研，主持
3. 基金重点项目，碳管MOSFET界面，(2021-2024), 在研，主持
4. 国家自然科学基金面上基金项目(62174176)，基于低温原子氧化的SiC MOSFET低界面态栅氧制造技术研究，（2022-2025），在研，主持
5. 国家自然科学基金面上基金项目(61974159)，基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究，（2020-2023），在研，主持
6. 中国科学院科研仪器研制项目（YJKYYQ20200039），低界面态、高可靠性SiC MOSFET栅氧高压微波等离子体生长系统，（2021-2022），在研，主持
7. 基金项目，柔性发电技术，(2020-2022), 在研，主持
8. 中国科学院青年促进会项目，(2017-2020)，已结题，主持
9. 中国工程物理研究院联合研发项目3项，(2016-2020) ，已结题，主持
10. ASIC国家重点实验室开放课题，仿生神经元器件及细胞生物电行为模拟(2018-2019) ，已结题，主持
11. 中国科学院重点实验室开放课题，二元系铁电氧化物极化行为研究，(2015-2016) ，已结题，主持
12. 国家自然科学基金青年基金项目(61204103) ，Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究，（2013-2015），已结题，主持
13. 中国科学院人才基金重点项目-基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究（2013-2014），已结题，主持
参与科研项目情况：
1.国家重点研发计划(2016YFA0202304)课题“二维原子晶体的材料制备和器件验证”（2016-2021）
2.国家973项目（2010CB327500）课题“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”（2010-2014）
3.国家973项目（2011CBA00600）课题“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”（2011-2015）
4.国家02科技重大专项课题（2011ZX02708-003）“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”（2011-2014）
发表论文120+篇，出版学术专著2部，译著1部
1. J. Wang, Z. Bai, K. Zhang, Z. Wu, D. Geng, Y. Xu, N. You, Y. Li, G. Yang, L. Li*, S. K. Wang*, M. Liu, Ge-
doped In2O3: First Demonstration of Utilizing Ge as Oxygen Vacancy Consumer to Break the
Mobility/Reliability Tradeoff for High Performance Oxide TFTs, VLSI Symp, (2024) T12.2.
2. J. Wang, K. Zhang, Y. Li, N. You, Y. Xu, L. Li, S.-K. Wang*, Effect of Atmosphere Dependent Annealing
on the Electrical Characteristics of a-In2O3 Thin-film Transistors, IEEE Trans. Electron Device, 71, 1932
(2024)
3. N. You, X. Liu, Q. Zhang, Z. Wang, J. Wang, Y. Xu, X. Li, Y. Guo, S.-K. Wang*, Enhanced quality of
Al2O3/SiC gate stack via microwave plasma annealing, Rare Metals,（2024）
https://doi.org/10.1007/s12598-024-02781-y
4. N. You, Q. Zhang, J. Wang, Y. Xu, K. Zhang, Y. Li, S.-K. Wang*, Utilizing High-Pressure Microwave
Plasma Oxidation for Advanced SiC MOS, IWDTF2023 (Awarded the Young Researcher Award: N. You)
5. Q. Zhang, N. You*, P. Liu, J. Wang, Y. Xu, S.-K. Wang*, Study of defects distribution in SiO2/SiC with
plasma oxidation and post oxidation annealing, Applied Surface Science, 610, 155500 (2023).
6. S. K. Wang, Kinetic studies in GeO2/Ge system, CRC Press, Taylor Francis Publisher, 2022. (专著)
7. S. K. Wang, X. L. Wang, MOS interface physics, process and characterization, CRC Press, Taylor
Francis Publisher, 2021. (专著)
8. N. N. You, X. Y. Liu, Y. Bai, P. Liu, Q. Zhang, Y. Zhang, S.-K. Wang*, Oxidation Kinetics of SiC in
Microwave Oxygen Plasma, Applied Surface Science, 562, 150165 (2021).
9. Y. Xu, S. K. Wang*, P. L. Yao, Y. H. Wang, D. P. Chen, An air-plasma enhanced low-temperature wafer
bonding method using high-concentration water glass adhesive layer, Applied Surface
Science500,144007 (2020)
10. S. K. Wang*, Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang, Electro-
chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-
static Power Consumption, ACS Appl. Energy Mater., 2(11), 8253 (2019).
11. Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature
1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys.,
123, 135302 (2018).
12. S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of
Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).
13. S. K. Wang*, Germanium and III-Vs for future logic (Invited), Comp. Semi. Int. 2017, Brussels Belgium,
(March 7-8, 2017)
14. S. K. Wang*, H. G. Liu, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces (Book chapter), in
book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer
Publisher, 2017.
15. S. K. Wang*, Turbo charging the channel (Invited), Compound Semiconductor, 1, 22-30 (2016).
16. S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by
low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).
17. X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOx
gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett.,
105, 092101 (2014).
18. S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System
Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett., 101, 061907 (2012).
19. S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Kinetic Effects of Oxygen Vacancy
Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction, IWDTF 2011 (Awarded the Young Researcher Award).
20. S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Isotope tracing study of GeO desorption
mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O, Jpn J. Appl. Phys., 50(4), 04DA01 (2011).
21. S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption
kinetics of GeO from GeO2/Ge structure, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
22. K. Kita*, S. K. Wang, M Yoshida, C. H. Lee, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, Comprehensive
study of GeO2 oxidation, GeO desorption and GeO2-metal interaction -understanding of Ge processing
kinetics for perfect interface control-, Tech. Dig. IEDM, 29.6, 693 (2009).
100+项专利申请，授权50+项，对外许可8项（含美国专利6项)
代表授权发明专利
1.Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597
2.Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478
3.王盛凯 等，腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统，2020.6.19，中国，ZL 201910236299.3
4.王盛凯 等，纳米发电机倍频输出结构及供能器件，2020.4.21，中国，ZL 201810263391. 4
5.王盛凯 等, 一种锗纳米线叠层结构的制作方法，2016.8.17，中国，ZL 201310741585.8
1. 2021, 中国科学院青年创新促进会优秀会员
2. 2020, 北京市技术发明二等奖 “高电流密度SiC电力电子器件”
3. 2017, 中国科学院青年创新促进会会员
4. 2011，Young Researcher Award, IWDTF, Japan.
人才队伍