当前位置 首页 人才队伍
  • 姓名： 彭松昂
  • 性别： 男
  • 职称： 副研究员
  • 职务： 
  • 学历： 
  • 电话： 
  • 传真： 
  • 电子邮件： 
  • 所属部门： 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址： 

    简　　历：

  • 教育背景

    2010.9-2015.6，中国科学院大学研究生院，微电子学与固体电子学，博士 

    2006.9-2010.6，河南大学，物理学，学士

    工作简历

    2018.3-至今，中国科学院微电子研究所，副研究员 

    2015.7-2018.3，中国科学院微电子研究所，助理研究员

    社会任职：

    研究方向：

  • 二维材料电子器件与电路

    承担科研项目情况：

  • 国家自然科学基金青年基金项目（61704189）：基于石墨烯异质结构的二维过渡金属硫化物器件界面物性调控研究（2017-2019）

    中科院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题“石墨烯与金属及金属氧化物的界面调控和机理研究”(2015-2016)

    代表论著：

  • 1、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?”, Adv. Electron. Mater, 2018, 4 (8).

    2、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor”, ACS. Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (8), pp 6661–6665.

    3、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Evidence of electric field tunable tunneling probability in graphene and metal contact”, Nanoscale. 2017,9 (27), 9520-9528.

    4、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Effect of source-gate spacing on dc and rf characteristic of graphene field effect transistor”, Appl. Phys. Lett. 106(2015) 022504.

    5、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity”, Carbon. 82 (2015) pp.500-505.

    6、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation”, Appl. Phys. Lett. 103(2013) 223505.

    专利申请：

    获奖及荣誉：

  • 2010-2011年中国科学院研究生院三好学生

    2015年中国科学院院长奖学金（优秀奖）

    2015年研究生国家奖学金

中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1