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  • 姓名: 王林飞
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995952
  • 传真: 010-82995961
  • 电子邮件: wanglinfei@ime.ac.cn
  • 所属部门: 硅器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2014.09~2019.06,中国科学院微电子研究所电子与信息专业,博士;

    2007.09~2009.06,天津大学微电子学与固体电子学专业,硕士;

    2003.09~2007.06,河北理工大学电子科学与技术专业,学士;

    工作简历

    2018.04~至今,中国科学院微电子研究所,副研究员;

    2011.10~2018.03,中国科学院微电子研究所,助理研究员;

    2009.07~2011.09,中国科学院微电子研究,研究实习员;

    社会任职:

    研究方向:

  • 高可靠集成电路设计,集成电路可靠性技术研究

    承担科研项目情况:

  • 作为技术骨干先后参与多项国家科技重大专项子课题;

    作为技术负责人承担中国科学院多项科研任务。

    代表论著:

  • [1]  Linfei Wang,Hainan Liu,Likun Chen,Yuelin Zhou,Hongyuan Zhang,Jiantou Gao,Fazhan Zhao,Jiajun Luo,Fang Yu, Zhengsheng Han,Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM,Proceedings of ICSICT2016.1506-1508.

    [2]卜建辉,许高博,李多力,蔡小五,王林飞,韩郑生,罗家俊,一种新型隧穿晶体管,半导体技术,vol.44,2019.03,185-188.

    专利申请:

  • [1]王林飞,罗家俊,韩郑生等,一种电路仿真方法及装置,中国发明专利,专利号:201610466018.X

    [2]王林飞,刘海南,罗家俊等,一种集成芯片的制作方法,中国发明专利,专利号:201610826177.6

    [3]王林飞,韩郑生,刘海南等,存储器验证电路以及验证方法,中国发明专利,专利号:201910263759.1

    获奖及荣誉:

  • 2012年度中国科学院微电子研究所优秀员工

    2016年度中国科学院微电子研究所荣誉奖学金

    2017年度中国科学院大学三好学生