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  • 姓名： 陈晓娟
  • 性别： 女
  • 职称： 正高级工程师
  • 职务： 
  • 学历： 硕士
  • 电话： 
  • 传真： 
  • 电子邮件： chenxiaojuan@ime.ac.cn
  • 所属部门： 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景 

    1998-2002 西北大学 电子信息系 工学学士 

    2002-2005 中国科学院微电子研究所 微电子学与固体电子学工学硕士 

    工作简历 

    2005年-2009年，中国科学院微电子研究所微电子微波功率电路与器件研究室工作，任Ku波段GaN功率器件课题组组长、助理研究员 

    2009年-2022年，中国科学院微电子研究所高频高压中心工作、副研究员，硕士生导师 

    2022年-至今，中国科学院微电子研究所高频高压中心工作、正高级工程师，硕士生导师 

    社会任职：

    研究方向：

  • 宽禁带半导体器件模型、工艺、电路设计与测试技术 

    承担科研项目情况：

  • 1. 高压GaN功率器件及可靠性，国家科技重大专项，课题骨干 

    2. GaN功率器件及MMIC 国家科技重大专项 课题骨干 

    3. 功率器件及MMIC，国家科技重大专项，课题技术负责人 

    4. 5G通信模组   课题骨干 

    代表论著：

  • 1.C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件  半导体学报 2005 

    2.基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT  半导体学报 2005 

    3.基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器 微电子学与计算机  2018 

    4.30～2600 MHz 超宽带GaN 功率放大器的设计与实现 半导体器件 2015 

    5.A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1dB linear gain  Microelectronics Journal    2012 

    6.A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC Journal of Semiconductors   2011 

    专利申请：

  •  

    获奖及荣誉：

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