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  • 姓名： 陈睿
  • 性别： 男
  • 职称： 研究员
  • 职务： 
  • 学历： 博士
  • 电话： +86-10-82995770
  • 传真： +86-10-82995684
  • 电子邮件： chenrui1@ime.ac.cn
  • 所属部门： EDA中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景

    2010年2月-2015年2月，美国纽约州立大学布法罗分校，电子工程系，博士

    2009年9月-2011年2月，美国纽约州立大学布法罗分校，电子工程系，硕士

    2004年9月-2008年6月，南京理工大学，电子信息工程系，学士

    工作简历

    2021年4月-至今，中国科学院微电子研究所，研究员

    2018年1月-2021年3月，中国科学院微电子研究所，副研究员

    2015年5月-2018年1月，美国格罗方德纽约研发中心，高级工程师

    社会任职：

    研究方向：

  • 从事制造EDA工具开发、前沿基础研究，以及产业化，主要研究方向包括：

    1.先进集成电路智能制造与仿真工具


    2.集成电路材料计算与机器学习方法

    3.人工智能驱动原子级制造仿真技术

    承担科研项目情况：


  • 1、北方集创项目，面向先进制程的TCAD工艺器件仿真与工艺验证，2023-2025，项目负责人

    2、所人才计划，人工智能驱动集成电路工艺器件TCAD仿真， 2023-2025，项目负责人

    3、国家重点研发计划，显示应用中薄膜晶体管及有机发光二极管器件工艺全流程仿真技术，2023-2026，任务负责人

    4、院先导项目，集成电路基础器件仿真软件与系统集成设计，2023-2025，核心骨干

    5、国家自然科学基金面上项目，集成电路关键图形工艺的模型研究，2019-2022

    6、中国科学院高层次人才引进计划，2018-2023，项目负责人

    7、HW合作项目，先进技术节点ALE仿真模型及工艺验证，2021-2022，项目负责人

    8、京东方合作项目，PECVD轮廓仿真软件开发，2020-2021，项目负责人

    9、院先导项目，计算光刻工艺模型和版图优化，2021-2023，核心骨干



    代表论著：

  • 代表性论文：

    1. Ziyi Hu, Hua Shao, Junjie Li, et al., Rui Chen*, Yayi Wei*, Modeling of Micro-trenching and Bowing Effects in Nano-scale Si Inductively Coupled Plasma Etching Process, Journal of Vacuum Science & Technology A, 41(6) (2023)

    2. Enxu Liu, Junjie Li*, Na Zhou, et al., Rui Chen*, Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, Nanomaterials, 13(14):2127 (2023)

    3. Hua Shao, Rui Chen*, Lisong Dong, Chen Li, Qi Yan, Taian Fan, and Yayi Wei*, High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma     Enhanced Chemical Vapor Deposition, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 35(2): 309-317 (2022)


     

    专利申请：

  • 1.Mark structure for aligning layers of integrated circuit structure and methods of forming same, US Patent 10,566,291, 2020. 

    2.Interconnects with cuts formed by block patterning, US Patent 10319626, 2019. 

    3.Multiple patterning with variable space mandrel cuts, US Patent 10566195, 2020. 

    4.Asymmetric overlay mark for overlay measurement, US Patent 10707175 ,2020. 

    5.Isolation pillar first gate structures and methods of forming same, US Patent 10600914, 2020. 

    6.一种提高栅极均匀性的工艺, CN201911021285.6. 

    7.金属栅极的制造方法, CN201911021283.X 

    8.一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案, CN201910536868.6 

    9.一种先进节点后端金属通孔的制造工艺, 202010417361.1 

    10. 一种提高后段金属线通孔的工艺窗的方法, 202010417479.4 

    获奖及荣誉：

  • 2023年 中国科学院青年国际合作人才

    2023年 微电子所优秀员工

    2022年 微电子所“研究生喜爱的导师”

    2021年 南京市“讲理想、比贡献”先进个人

    2021年 微电子所先导中心“科研之星”

    2020年 微电子所优秀员工

    2018年 中国科学院海外人才引进

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