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  • 姓名： 孙思维
  • 性别： 女
  • 职称： 副研究员
  • 职务： 
  • 学历： 博士
  • 电话： 010-82995720
  • 传真： 
  • 电子邮件： sunsiwei@ime.ac.cn
  • 所属部门： 系统封装与集成研发中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景

    2009.9-2013.6，北京科技大学，应用物理学，理学学士 

    2013.9-2018.6，中国科学院半导体研究所，物理电子学，工学博士
    工作经历

    2018.7-2022.3，中国科学院微电子研究所，助理研究员 

    2022.3-至今，中国科学院微电子研究所，副研究员

    社会任职：

  •  

    研究方向：

  •  光电探测器，位置敏感探测器，系统级封装

    承担科研项目情况：

  • 1. 高技术类, “新型光束质量控制研究”，2019.9-2021.12，课题主持 

    2. 中国科学院青年创新促进会会员项目，2022.1-2025.12，主持 

    3. 光电集成与封测技术研究, 2019.1-2020.12，参与 

    代表论著：

  •  1. Sun S, Zheng Q, Meng X, et al. High positional resolution pin-cushion position sensitive detector by deliberately introducing barrel distortion[J]. IEEE Sensors Journal, vol. 22, no. 2, pp. 1280–1286, 2022.

    2. Sun S, Chen Y, Sun Y, et al. Novel Low-Loss Fiber-Chip Edge Coupler for Coupling Standard Single Mode Fibers to Silicon Photonic Wire Waveguides[J]. Photonics, 8, 79. 2021. 

    3. Sun S, Zhang L, Cao L, et al. Fabrication and modeling of antenna integrated uni-traveling-carrier photodiodes[J]. Optical Engineering, 2021, 60(9): 097103. 

    4. Sun S, Liang S, Xie X, et al. Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs[J]. Optics & Laser Technology, 2018, 101: 457-461. 

    5. Sun S, Liang S, Xu J, et al. Evanescently coupled waveguide InGaAs UTC-PD having an over 21 GHz bandwidth under zero bias[J]. IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 29(14): 1155-1158.

    专利申请：

    获奖及荣誉：

  •  2022年入选中国科学院青年创新促进会会员

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