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  • 姓名： 许晓欣
  • 性别： 女
  • 职称： 研究员
  • 职务： 
  • 学历： 博士
  • 电话： 010-82995923
  • 传真： 
  • 电子邮件： xuxiaoxin@ime.ac.cn
  • 所属部门： 微电子器件与集成技术重点实验室
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景

    2014/7-2017/6，中国科学院大学，微电子与固体电子学，博士 

    2011/6-2014/7，山东大学，集成电路工程，硕士 

    2007/9-2011/6，中国矿业大学，应用物理系，学士
    工作简历

    2022.11-今，中国科学院微电子研究所，研究员; 

    2020/07-2022.11，中国科学院微电子研究所，副研究员; 

    2017/07-2020.07，中国科学院微电子研究所，助理研究员

    社会任职：

    研究方向：

  • 新型非挥发存储技术，新型存储器应用技术；神经形态计算器件与集成；神经形态计算系统

    承担科研项目情况：

  • 1.中科院人才项目，中科院青年创新促进会优秀会员，2023.1-2025.12

    2.科技部攻关项目，嵌入式RRAM SoC芯片，子课题负责人，2022.1.1-2024.12 

    3.科技创新2030-重大项目：具有多时间尺度神经动力学的忆阻器件研究，课题负责人，2021.12-2026.11 

    4.中科院先导C项目：阻变存储器芯片加工验证，课题负责人，2021.1-2023.12 

    5.市科技项目：基于阻变存储器的阵列控制器芯片研发及示范应用，项目负责人，2020.7-2022.7 

    6.自然科学基金-青年基金项目：阻变存储器阵列可靠性的拖尾效应研究，项目负责人，2019.1-2021.12

    代表论著：

  • 1.First demonstration of OxRRAM integration on 14nm FinFet platform and scaling potential analysis towards sub-10nm node, X. Xu, J. Yu, T. Gong, J. Yang, J. Yin, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 24.3.1.
    2.40×retention improvement by eliminating resistance relaxation with high temperature forming in 28 nm RRAM chip, X. Xu, L. Tai, T. Gong, J. Yin, P. Huang, J. Yu, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, X. Zhu, X. Wu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2018, 20.1.1. 
    3.A 128kb stochastic computing chip based on RRAM flicker noise with high noise density and nearly zero autocorrelation on 28-nm CMOS platform, T. Gong, Q. Hu, D. Dong, H. Jiang, J. Yang*, X. Xu*, X. Chen, Q. Luo, Q. Liu, S. Chung, H. Lyu, M. Liu, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2021, 12-5. 
    4.3D Reservoir Computing with High Area Efficiency (5.12 TOPS/mm2) Implemented by 3D Dynamic Memristor Array for Temporal Signal Processing, W. Sun, W. Zhang, J. Yu, Y. Li, Z. Guo, J. Lai, D. Dong, X. Zheng, F. Wang, S. Fan, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu; [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2022: C25-2, 1-2.
    5.Fully CMOS compatible 3D vertical RRAM with self-aligned self-selective cell enabling sub-5nm scaling, X. Xu, Q. Luo, T. Gong, H. Lv*, S. Long, Q. Liu, S. S. Chung, J. Li, and M. Liu*. [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2016: 1-2.
    6.Energy efficient and robust reservoir computing system using ultrathin (3.5 nm) ferroelectric tunneling junctions for temporal data learning, J. Yu, Y, Li, W. Sun, W. Zhang, Z. Gao, D. Dong, Z. Yu, Y. Zhao, J. Lai, Q. Ding, Q. Luo, C. Dou, Q. Zuo, Y. Zhao, S. Chen, R. Zou, H. Chen, Qiwei Wang, H. Lv, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2021, T16-4. 
    7.A 14nm 100Kb 2T1R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, L. Wang, W. Ye, J. Lai, J. Liu, J. Yang, X Si, C. Huo, C. Dou*, X. Xu*(* corresponding author), Q Liu, D Shang, F. Zhang, H. Lv, M. Chang, H. Iwai, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, T0157.
    8.8-layers 3D vertical RRAM with excellent scalability towards storage class memory applications, Q. Luo, X. Xu, T. Gong, H. Lv*, D. Dong, H. Ma, P. Yuan, J. Gao, J. Liu, Z. Yu, .J. Li, S. Long, Q. Liu, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2017, 2.7.1.
    9.Endurance prediction based on hidden markov model and programming optimization for 28nm 1Mbit resistive random access memory chip, X. Zheng, L. Wu, D. Dong, J. Yu, J. Lai, W. Sun, X. Xue, B. Chen, W. Pang, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(6): 102-104.
    10.Performance Improvement of Memristor-Based Echo State Networks by Optimized Programming Scheme, J. Yu, W. Sun, J. Lai, X. Zheng, D. Dong, Q. Luo, H. Lv, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(6): 866-868.

    专利申请：

  • 1.一种RRAM的读取电路及读取方法，许晓欣，赖锦茹，孙文绚，郑旭，董大年，余杰，樊邵阳，ZL202211155750.7

    2.一种RRAM阵列的读取电路及读取方法，许晓欣，赖锦茹，孙文绚，郑旭，董大年，余杰，樊邵阳，ZL202211155763.4

    3.一种阻变存储器及其制作方法，许晓欣，孙文绚，余杰，董大年，赖锦茹，吕杭炳，ZL202110319822.6

    4.一种储备池计算网络优化方法及相关装置，许晓欣，孙文绚，余杰，董大年，郑旭，ZL202211009477.7

    5.神经网络运算系统，吕杭炳，许晓欣，罗庆，刘明，ZL201910083228.4

    6.用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法，刘明，罗庆，许晓欣，刘琦，吕杭炳，龙世兵，刘琦，ZL201610158468.2

    7.融合型存储器，吕杭炳，罗庆，许晓欣，龚天成，刘明，ZL201910083230.1

    8.存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法，吕杭炳，杨建国，许晓欣，刘明，ZL202010288743.9

    获奖及荣誉：

  • 1.2022年，获得中国科学院青促会优秀会员；

    2.2021年，获得华为奥林帕斯先锋奖；
    3.2021年，获得2021年度微电子所“先进工作者”
    4.2019年，入选中国科协青年人才托举工程；
    5.2018年，获得中国科学院杰出科技成就奖；
     

     

     

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