主持国家重点研发计划“硅基多层三维集成芯片及”课题（2020-2022），课题经费765万元。

1. Bo Tang（一作），Monolithic back-end-of-line integration of phase change materials into foundrymanufactured silicon photonics.Nature Communications,2024年,4期(15卷),页码2786.

2. Bo Tang（通讯），Multilayer Reconfigurable 3D Photonics Integrated Circuits Based on Deposition Method，Laser & Photonics Review，2024年，页码2400827.

3. Bo Tang(一作），Polysilicon modulator utilizing CMOS-compatible local excimer laser annealing technology，Journal of Lightwave Technology，2024年，页码1-6.

4. Bo Tang（通讯），TDFA-Band Silicon Optical Variable Attenuator，Progress In Electromagnetics Research，2022年，174卷，页码33-42.

5. Bo Tang(二作），Microring resonator based on polarization multiplexing for simultaneous sensing of refractive index and temperature on silicon platform，Optics Express，2022年，14期（30卷），页码25637

6. Bo Tang(二作），Thermo-optically tunable slot waveguide-based dual mode-splitting resonators with enhanced sharp lineshapes，Optics Express，10期（30卷），页码16374-16383

1. 唐波，第一发明人，利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，申请号：CN202011167383.3，申请日：2020/10/27，授权公告日：2022/10/4。

2. 唐波，第一发明人，双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，申请号：CN202011167356.6，申请日：2020/10/27，授权公告日：2023/2/3。

3. 唐波，第一发明人，利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体，申请号：CN202011165698.4，申请日：2020/10/27，授权公告日：2022/11/4。

4. 唐波，第一发明人，一种多层硅光子器件的制备方法，申请号：CN202011065943.4，申请日：2020/9/30，授权公告日：2022/10/4。

5. 唐波，第一发明人，硅基光电探测器及其制造方法，申请号：CN202010065061.1，申请日：2020/1/20，授权公告日：2023/3/21。

6. 唐波，第一发明人，锗探测器及其制造方法，申请号：CN202010063210.0，申请日：2020/1/20，授权公告日：2023/3/21。

7. 唐波，第一发明人，半导体器件的制造方法，申请号：CN201410339799.7，申请日：2014/7/16，授权公告日：2019/5/28。

8. 唐波，第一发明人，半导体器件及其制造方法，申请号：CN201410339866.5，申请日：2014/7/16，授权公告日：2018/7/13。

9. 唐波，第一发明人，混合线条的制造方法，申请号：CN201110263770.1，申请日：2011/9/7，授权公告日：2015/9/23。