| 专利名称: | 提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 92100068.5 |
| 申请日期: | 1992-01-14 |
| 专利号: | CN1074556 |
| 第一发明人: | 罗梅村 赵时化 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法，当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露，用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离。本方法工艺简单、实用，解决了基础条件与工艺水平相对较差的情况下，可以确保硅高压平面器件的击穿电压，有较高的良品率和稳定性。 |
| 其它备注: | |
科研产出