专利名称: | 一种钴-自对准硅化物的方法 |
专利类别: | |
申请号: | 00135752.2 |
申请日期: | 2000-12-19 |
专利号: | CN1360340 |
第一发明人: | 徐秋霞 钱鹤 季红浩 柴淑敏 |
其它发明人: | |
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实施情况: | |
专利证书号: | |
专利摘要: | 一种钴—自对准硅化物的方法,本方法具有五个步骤:步骤1:采用钴/钛/硅固相反应结构;步骤2:采用氢氟酸/异内醇溶液的清洗;步骤3:采用溅射钴/钛膜前的真空腔内退火处理;步骤4:低应力双层钴/钛复合膜的溅射;步骤5:钴—自对准硅化物工艺。 |
其它备注: | |
科研产出