专利名称: 一种钴-自对准硅化物的方法
专利类别:
申请号: 00135752.2
申请日期: 2000-12-19
专利号: CN1360340
第一发明人: 徐秋霞 钱鹤 季红浩 柴淑敏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 一种钴—自对准硅化物的方法,本方法具有五个步骤:步骤1:采用钴/钛/硅固相反应结构;步骤2:采用氢氟酸/异内醇溶液的清洗;步骤3:采用溅射钴/钛膜前的真空腔内退火处理;步骤4:低应力双层钴/钛复合膜的溅射;步骤5:钴—自对准硅化物工艺。
其它备注: