| 专利名称: | 可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 01109455.9 |
| 申请日期: | 2001-03-13 |
| 专利号: | CN1374687 |
| 第一发明人: | 刘训春 张龙海 王润梅 李无瑕 罗明雄 吴德馨 |
| 其它发明人: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法，首先1.在砷化镓等芯片上光刻有源岛区，2.以常规方法形成源漏金属并合金；3.淀积绝缘层；4.光刻出栅牺牲层；5.溅射或蒸发形成薄膜；6.减薄腐蚀；7.等离子体刻蚀绝缘材料形成栅槽；8.光刻腐蚀出源漏孔，然后涂胶，常规光刻形成宽栅窗口，套刻在栅槽上；9.腐蚀窗口中栅槽下面的N+区；1 0.蒸发栅金属，并剥离，完成器件制作。 |
| 其它备注: | |
科研产出